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天玑芯片,联发科天玑全系列芯片
作者:
未知
来源:
网络收集
整理日期:
2021-05-17
在4G时代,联发科的移动处理器产品一直被高通、海思等芯片厂商压制,随着5G时代的来临,联发科抓住机遇,推出天玑系列芯片,与高通、海思等主要竞争对手展开激烈的竞争,为自己争取尽可能多的市场份额。接下来,本文将带大家一起来了解一下联发科天玑全系列芯片。

旗舰级芯片
天玑1200
制造工艺:采用台积电6nm工艺制造。
核心数:1个3.0GHz的A78大核+3个2.6GHz的A78中核+4个2.0GHz的A55小核。
GPU: Mali-G77 MC9
最高支持ROM与RAM规格:UFS3.1和LPDDR4X(2133MHz 4*16位)
性能: Geekbench5单核分数886,多核分数2948。横向对比,单核性能与骁龙865处于同一水平;多核性能与A12旗鼓相当。
实现5G方式:集成5G基带(支持5G双卡双待)
天玑1100
制造工艺:采用台积电6nm工艺制造。
核心数: 4个2.6GHz的A78中核+4个2.0GHz的A55小核。
GPU: Mali-G77 MC9
最高支持ROM与RAM规格:UFS3.1和LPDDR4X(2133MHz 4*16位)
性能:暂无(笔者推测应介于天玑1200与天玑1000plus之间)
实现5G方式:集成5G基带(支持5G双卡双待)
天玑1000plus
制造工艺:台积电7nm工艺制造
核心数:4个2.6GHz的A77核心+4个2.0GHz的A55核心
GPU: Mali-G77 MC9
最高支持ROM与RAM规格:UFS2.1和LPDDR4X(1866MHz 4*16位)
性能:Geekbench5单核分数785,多核分数3075。横向对比,单核性能与麒麟990、骁龙855plus基本一致;多核性能略高于骁龙855plus,稍低于麒麟990。获得更多 -> 图文新闻

旗舰级芯片
天玑1200
制造工艺:采用台积电6nm工艺制造。
核心数:1个3.0GHz的A78大核+3个2.6GHz的A78中核+4个2.0GHz的A55小核。
GPU: Mali-G77 MC9
最高支持ROM与RAM规格:UFS3.1和LPDDR4X(2133MHz 4*16位)
性能: Geekbench5单核分数886,多核分数2948。横向对比,单核性能与骁龙865处于同一水平;多核性能与A12旗鼓相当。
实现5G方式:集成5G基带(支持5G双卡双待)
天玑1100
制造工艺:采用台积电6nm工艺制造。
核心数: 4个2.6GHz的A78中核+4个2.0GHz的A55小核。
GPU: Mali-G77 MC9
最高支持ROM与RAM规格:UFS3.1和LPDDR4X(2133MHz 4*16位)
性能:暂无(笔者推测应介于天玑1200与天玑1000plus之间)
实现5G方式:集成5G基带(支持5G双卡双待)
天玑1000plus
制造工艺:台积电7nm工艺制造
核心数:4个2.6GHz的A77核心+4个2.0GHz的A55核心
GPU: Mali-G77 MC9
最高支持ROM与RAM规格:UFS2.1和LPDDR4X(1866MHz 4*16位)
性能:Geekbench5单核分数785,多核分数3075。横向对比,单核性能与麒麟990、骁龙855plus基本一致;多核性能略高于骁龙855plus,稍低于麒麟990。获得更多 -> 图文新闻
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